STM32的DMA到Flash

Question

我正在使用stm32f40x微控制器（UC），并且必须使用其内部闪存来存储一些数据。如您所知，写操作非常缓慢，需要很长时间占用UC。因此，我考虑使用DMA，这里有一个问题：

是否可以使用DMA将数据从SRAM传输到FLASH？

谢谢您的时间。

- gior91

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一些专用的微控制器具有RAM区域，它是闪存的映像。您的程序将数据写入RAM，然后硬件负责将其烧录到闪存中，可能与ECC结合使用。对于这样的部件，您应该能够DMA数据。我不确定ST是否有类似的东西。您应该只寻找带有数据闪存（“模拟EEPROM”）的部件-这种闪存具有较小的段，不需要在编程之前花费很长时间进行擦除。我知道有几个STM32带有数据闪存。 - Lundin

Answer 1

简而言之：不行，至少不能提高速度。

具体来说，写入flash的缓慢不是由于CPU太慢造成的，而是由于耗时的页面写入周期导致的。（因此，DMA并没有更快）。理论上，你可以使用DMA写入flash（即使这有点棘手且存在一些陷阱），但你不会获得任何速度。原因是，当CPU尝试访问被写入时的flash存储器时，它将被暂停。因此，在DMA写入时，CPU将无法从其中执行代码——不会省时间。

说明书上写着：

“在STM32F4xx正在被写入或擦除时，任何对Flash存储器的读取尝试都会导致总线停顿。一旦程序操作完成，读取操作就会被正确处理。这意味着在写入/擦除操作正在进行时，无法执行代码或数据获取。”

这意味着在DMA运行到任何flash区域时，无法从任何flash的区域执行代码——CPU将在此期间暂停。然而，你可以进一步增加复杂性，将代码的部分复制到RAM中以在那里执行，以解决这个问题。

F4系列中的一些型号有4k的可备份RAM。使用它，它要简单得多，并且速度更快。

- tofro

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谢谢！我没有考虑到你强调的这个方面！但是我还有一个问题要问你：如果代码存储在与数据存储不同的闪存扇区中，这是否也适用？谢谢。 - gior91

我手头的手册说：“在 STM32F4xx 写入或擦除 Flash 存储器时，任何尝试读取其内容的操作都会导致总线停顿。只有当编程操作完成后，才能正确地处理读取操作。这意味着在写入/擦除操作正在进行时无法执行代码或数据提取。”我认为这回答了这个问题，向 Flash 的任何部分写入都会停止 CPU 的运行。你可能可以通过将要在 DMA 传输期间执行的代码的一部分复制到 RAM 中来解决此问题，但这会带来更多问题，最好还是不要这样做。 - tofro

虽然DMA在这种情况下无法提供帮助，但是后续评论中提到的CPU无法执行代码并不完全正确。实际上，它无法执行写入Flash存储器中的代码 - 对于STM32而言，通常都是如此。例如，如果在Flash写入期间中断服务很重要，可以将ISR放置在RAM中（如有可能，CCM是一个好选择）。 - Clifford

Answer 2

另一个可能性是使用具有读写并行功能的双重存储器设备。

这些设备拥有两个闪存存储区。可以在从一个存储区执行代码的同时，将数据写入第二个存储区。

- Jaroslav