理解STM32参考手册中的Flash编程过程

Question

我正在编程stm32l412kb，其中有一点是我将要从UART写入数据到flash。从stm32l41xx参考手册reference manual中，我了解到在写入数据之前如何清除存储器的步骤，但是在第84页中，当写入实际数据时，有一步我不知道该如何做。那一步是：

在所需的存储器地址执行数据写入操作

它提到了什么数据写入操作？我看不到任何寄存器与存储器地址相对应，所以我认为它将使用指针？我该怎么做？

非常感谢您的帮助， 谢谢， Harry

- arry_h

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在我看来，这些术语存在歧义：通常对Flash的写操作包括：1）擦除一个扇区（如果需要）2）编程一个字（或两个字），编程意味着清除内存中的一个或多个位。 - Guillaume Petitjean

Answer 1

除了一些细节（例如擦除后才能写入、时间、对齐和锁定/解锁），写入RAM和写入FLASH存储器之间没什么区别。如果你已经按照参考手册的步骤准备好了FLASH存储器（即清除并解锁），那么你可以直接使用对齐的内存地址进行写入。

ST公司的HAL库中包含一个函数，它能够为你完成所有冗长的样板代码，并允许你"简单地写入"：

HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Program(uint32_t TypeProgram, uint32_t Address, uint64_t Data)

这个函数内部使用了一个子例程来执行实际的写入操作，它的样子是这样的:

static void FLASH_Program_DoubleWord(uint32_t Address, uint64_t Data)
{
  /* Check the parameters */
  assert_param(IS_FLASH_PROGRAM_ADDRESS(Address));

  /* Set PG bit */
  SET_BIT(FLASH->CR, FLASH_CR_PG);

  /* Program first word */
  *(__IO uint32_t*)Address = (uint32_t)Data;

  /* Barrier to ensure programming is performed in 2 steps, in right order
    (independently of compiler optimization behavior) */
  __ISB();

  /* Program second word */
  *(__IO uint32_t*)(Address+4U) = (uint32_t)(Data >> 32);
}

正如您所看到的，这里并没有任何魔法。它只是一个取消引用的指针和一个赋值操作。

- Vinci

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你不能说在写入RAM和FLASH之间没有太大的区别。根据产品需要擦除Flash扇区，必须注意在不同的扇区（或者bank）中编程以避免与执行时的扇区冲突，在STM32L4上每次只能编程64位，必须在数据总线上进行写访问之前设置Flash控制器寄存器中的一个或多个位... 然而，你是对的，最终写操作由相同的C（或汇编）指令触发。 - Guillaume Petitjean

Answer 2

它所提到的是哪种数据写操作？

“数据写入”只是在内存中写入地址为闪存存储器的普通写入。通常使用STR汇编指令。请查看您的数据手册，我猜测Flash存储器的地址应该在0x08080000和0x00080000之间。

例如，以下C代码将向第一个Flash存储器地址写入值42：

 *(volatile uint32_t*)0x00080000 = 42.

关于参考实现，您可以查看stm32 hal drivers：

  /* Set PG bit */
  SET_BIT(FLASH->CR, FLASH_CR_PG);

  /* Program the double word */
  *(__IO uint32_t*)Address = (uint32_t)Data;
  *(__IO uint32_t*)(Address+4) = (uint32_t)(Data >> 32);

- KamilCuk

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我认为你的第一个示例不起作用，因为只能编程双字（2 x 32数据）。因此，您还需要写入接下来的四个字节：*(volatile uint32_t*)0x00080004 = 0; - Codo