在STM32F4上模拟EEPROM有两种方式： 使用片上4K字节备份SRAM 使用片上Flash，配合特殊的软件算法 第二种选项在AN3969中有描述。 但是不幸的是，谷歌没有提供如何使用第一种选项（使用4Kb备份SRAM作为EEPROM）的信息？ 有人能在这个话题上提供帮助吗？

我正在开发一个Arduino库，用于最大限度地延长AVR EEPROM的寿命。它需要存储要保存的变量数量，剩下的部分由库完成。这是我的尝试，但并不适用于所有情况。 背景信息 Atmel声称每个内存单元可读写100,000次。他们还提供了一篇应用笔记，介绍如何进行磨损平衡。以下是该应用笔记的...

我最近发现需要将不经常更新的配置变量存储在微控制器的EEPROM中。将状态添加到程序中会立即让人担心： 检测EEPROM中未初始化的数据（即首次启动）， 转换或使旧固件版本的数据无效，以及 处理多个结构的地址，每个结构都可能在固件更新中增加。 广泛的搜索只找到了一篇涉及如何通过固件更新...

我正在尝试在stm32f0上模拟EEPROM。STM提供了一个应用笔记。 在示例的main.c中， int main(void) { /*!< At this stage the microcontroller clock setting is already configure...

我正在尝试使用树莓派B+的I2C读写Atmel 24C256 EEPROM，但是我在让它正常工作方面遇到了困难。 以下是我目前的代码： #include <stdio.h> #include <stdlib.h> #include <linux/i2c-dev...