Cortex-M3 STM32F103核心在执行闪存页擦除时是否会停顿，是因为FPEC忙于处理其他任务而无法从闪存中获取更多指令？

Question

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在STM32F103上，擦除一个闪存页需要20毫秒，期间核心会停顿。从ST PM00042闪存编程手册中并不清楚核心是否总是在擦除闪存页时停顿，或者只是因为指令流本身位于闪存内存（在我的项目中），而FPEC（闪存内存接口）正在忙于获取更多指令。

另一个提问的方式是，“如果我将闪存编程代码从RAM中运行，能否避免闪存页擦除的停顿？”

谢谢，

- Captain NedD

2个回答

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公交车出故障的是总线，而不是核心。如果需要，核心可能必须在公交车上等待。

SRAM和Flash位于不同的总线上，因此代码可以继续从RAM中执行。

您必须确保该代码不会调用Flash中的代码，并且还要注意到令人意外的是，SRAM代码执行速度会变慢，因为指令和数据获取都在同一条总线上，所以不再同时发生。

类似地，外部SRAM中的代码可以继续运行。如果您安排一个在内部RAM中，另一个在外部RAM中，那么独立的总线可能会解决数据/指令争用问题，但无论如何，外部总线速度较慢，性能仍然会受到影响。

问题和妥协使得您可能考虑使用单独的EEPROM进行非易失性存储。

- Clifford

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可以查看英文原文，
原文链接

- Dan · Accepted Answer

我认为在Flash编程期间，任何试图访问Flash的尝试都会使CPU停滞。

因此，您需要确保关键代码（可能是中断处理程序、看门狗启动器等）可以在程序操作期间从RAM中运行。我上一次使用STM32（大约2年前）时就是这样做的。

所以，为了明确回答您帖子末尾的问题：

另一个提出这个问题的方式是“从RAM运行我的Flash编程代码是否可以避免Flash页擦除停顿？”。

我认为答案是否定的。Flash编程驱动程序位于何处并不重要，重要的是您的代码在“擦除/编程操作正在进行时”做了什么。如果CPU在操作期间尝试访问Flash，即使是为了读取程序的指令或读取常量表，我认为它也会停滞。

我知道NXP ARM微控制器上的Flash是如何工作的，但我也想引用STM32的相关文献。由于某种原因，Flash编程手册目前似乎无法获取，但我在类似文档（我相信是PM0068）中找到了以下语言：

正在进行的Flash存储器操作只要CPU不访问Flash存储器就不会阻塞CPU。

如果在编程期间启动了读/写操作[到Flash]（BSY位设置），则CPU会停顿，直到正在进行的主Flash存储器编程结束。