我想创建一个非常大的数组,在上面写入'0'和'1'。 我正在尝试模拟一种称为随机顺序吸附的物理过程,其中长度为2的单元(二聚体)以随机位置沉积在n维晶格上,而不会重叠。 当晶格上没有更多空间可以沉积更多的二聚体时,该过程停止(晶格被卡住)。
最初,我从零开始建立晶格,并用一对“1”表示二聚体。当每个二聚体沉积时,由于二聚体不能重叠,因此二聚体左侧的位置将被阻塞。 因此,我通过向晶格上沉积三个“1”来模拟此过程。我需要重复整个模拟很多次,然后计算覆盖百分比的平均值。
我已经使用字符数组完成了1D和2D晶格的模拟。目前,我正在尽可能使代码更高效,然后再解决3D问题和更复杂的泛化。
以下是简化后的1D代码示例:
int main()
{
/* Define lattice */
array = (char*)malloc(N * sizeof(char));
total_c = 0;
/* Carry out RSA multiple times */
for (i = 0; i < 1000; i++)
rand_seq_ads();
/* Calculate average coverage efficiency at jamming */
printf("coverage efficiency = %lf", total_c/1000);
return 0;
}
void rand_seq_ads()
{
/* Initialise array, initial conditions */
memset(a, 0, N * sizeof(char));
available_sites = N;
count = 0;
/* While the lattice still has enough room... */
while(available_sites != 0)
{
/* Generate random site location */
x = rand();
/* Deposit dimer (if site is available) */
if(array[x] == 0)
{
array[x] = 1;
array[x+1] = 1;
count += 1;
available_sites += -2;
}
/* Mark site left of dimer as unavailable (if its empty) */
if(array[x-1] == 0)
{
array[x-1] = 1;
available_sites += -1;
}
}
/* Calculate coverage %, and add to total */
c = count/N
total_c += c;
}
对于我正在做的实际项目,它不仅涉及二聚体,还涉及三聚体,四聚体和各种形状和大小(对于2D和3D)。
我希望能够处理单个位而不是字节,但是我一直在阅读,据我所知,您只能一次更改1个字节,因此要么我需要进行一些复杂的索引,要么就有更简单的方法可以做到?
谢谢你们的答案